Ოპერაციული პრინციპების ტრანზისტორი

ტრანზისტორი - მოწყობილობა, რომელიც ეშვება ნახევარგამტარები ელექტრონიკა. იგი განკუთვნილია კონვერტაციის და გაძლიერება ელექტრო სიგნალები. არსებობს ორი ტიპის მოწყობილობებს: ბიპოლარული ტრანზისტორი და ერთპოლარული ტრანზისტორი ან სფეროში.

თუ ტრანზისტორი ორი სახის მუხტის გადამტანების მუშაობა ერთდროულად - ხვრელების და ელექტრონები, მას უწოდებენ ბიპოლარული. თუ ტრანზისტორი არის მხოლოდ ერთი ტიპის ბრალდება, ეს არის ერთპოლარული.

წარმოიდგინეთ მუშაობის ჩვეულებრივი ონკანის წყალი. აღმოჩნდა bolt - წყლის ნაკადი გაიზარდა, მან სხვა გზა - შეამციროს ან შეწყვიტოს ნაკადი. პრაქტიკულად ეს არის პრინციპი ოპერაციის ტრანზისტორი. მხოლოდ ელექტრონების ნაცვლად წყლის ნაკადი მიედინება therethrough. მუშაობის პრინციპი ბიპოლარული ტრანზისტორი ტიპის ხასიათდება იმით, რომ ამ გზით ელექტრონული მოწყობილობა ორი სახის ძალა. ისინი იყოფა მაღალი, ან ძირითადი და პატარა, ან მენეჯერი. სადაც კონტროლის მიმდინარე გავლენას ახდენს რანგში მთავარი ძალა. განვიხილოთ სფეროში ეფექტი ტრანზისტორი. პრინციპი მისი ოპერაცია განსხვავდება სხვა. გადის მხოლოდ ერთი მიმდინარე გამომუშავება , რომელიც დამოკიდებულია ambient ელექტრომაგნიტური ველის.

ბიპოლარული ტრანზისტორი მზადდება 3 ფენების ნახევარგამტარული, ასევე, რაც ყველაზე მთავარია, ორი PN-გზაჯვარედინი. აუცილებელია განვასხვავოთ PNP და NPN გადასვლები და, აქედან გამომდინარე, და ტრანზისტორი. ეს ნახევარგამტარები ენაცვლება electron და ხვრელი ჩატარება.

ბიპოლარული ტრანზისტორი აქვს სამი ტერმინალებით. ეს ბაზა კონტაქტი, რის გამოც ცენტრში ფენა, და ორი ელექტროდი კიდეები - emitter და კოლექციონერი. შედარებით ამ ორი უკიდურესი ელექტროდების ბაზის ფენის არის ძალიან თხელი. გასწვრივ კიდეები ტრანზისტორი რეგიონში ნახევარგამტარული არ არის სიმეტრიული. ნახევარგამტარული ფენის განლაგებული კოლექციონერი მხარეს სწორი ფუნქციონირების ეს მოწყობილობა უნდა იყოს ნება პატარა, მაგრამ სქელი შედარებით მხარეს უკავია.

ტრანზისტორი მუშაობის პრინციპები ეფუძნება ფიზიკური პროცესები. მოდით მუშაობა მოდელი PNP. NPN მოდელი იმუშავებს მსგავსი გარდა პოლარობის ძაბვის შორის ისეთი ძირითადი ელემენტები, როგორც კოლექციონერი და emitter. ეს იქნება საპირისპირო მიმართულებით.

ნივთიერების P ტიპის შედგება ხვრელი ან დადებითად დამუხტული იონები. N ტიპის ნივთიერება შედგება უარყოფითად დამუხტული ელექტრონები. ჩვენი ტრანზისტორი ნომერი ხვრელების F რეგიონში ბევრად აღემატება რაოდენობის ელექტრონები N.

როცა დაკავშირება ძაბვის წყარო შორის ნაწილები, როგორც emitter და კოლექციონერი ტრანზისტორი მუშაობის პრინციპები ეფუძნება იმ ფაქტს, რომ ხვრელები მოზიდული ბოძზე და იკრიბებიან ახლოს emitter. მაგრამ მიმდინარე არ მიდის. ელექტრო სფეროში ძაბვის წყარო არ მიაღწევს კოლექციონერი იმიტომ, რომ სქელი ნახევარგამტარული emitter ფენის და ბაზის ნახევარგამტარული ფენას.
მაშინ დაკავშირება ძაბვის წყარო სხვადასხვა ელემენტების, კერძოდ ბაზა და emitter. ახლა ხვრელების იგზავნება მონაცემთა ბაზაში და დაიწყოს ურთიერთქმედება ელექტრონები. ცენტრალური ნაწილი ბაზაზე გაჯერებული ხვრელები. შედეგი არის ორი currents. Big - დან emitter კოლექციონერი, პატარა - დან ბაზის emitter.

ზრდა ძაბვის მონაცემთა ბაზის ფენის N კიდევ უფრო ხვრელებს, გაზრდის ბაზაზე არსებული, emitter მიმდინარე გაიზრდება ოდნავ. ეს ნიშნავს, რომ მცირე ცვლილება ბაზაზე მიმდინარე სერიოზულად საკმარისი გაძლიერდეს emitter მიმდინარე. შედეგი არის ზრდა სიგნალი ბიპოლარული ტრანზისტორი.

განვიხილოთ პრინციპების ტრანზისტორი დამოკიდებულია ოპერაციული რეჟიმი. განასხვავებენ ნორმალური აქტიურ რეჟიმში, შებრუნებული აქტიურ რეჟიმში, ინტენსივობა, ათვლის რეჟიმში.
აქტიურ რეჟიმში, emitter გადაკვეთაზე გაიხსნა და დაიხურა კოლექციონერი გადაკვეთაზე. იმ inversion რეჟიმში, ყველაფერი პირიქით.