Ელექტრო მოცულობითი

ორი დირიჟორები, რომლებიც იზოლირებული ერთმანეთისგან და განთავსდეს მჭიდრო შექმნან capacitor.

დირიჟორები ფორმირების capacitor დააკისროს ტოლია მასშტაბები და საპირისპირო ბრალდებებით.

ფართოდ გამოიყენება პრაქტიკაში ბინა capacitor შედგება ორი პარალელური ლითონის ფირფიტები გამოყოფილი დიელექტრიკული ფენას. შორის მანძილი ფირფიტები არის პატარა შედარებით მათი ზომა. კონდენსატორების ფირფიტები მოუწოდა ფირფიტები ერთი capacitor.

დააკისროს plate თანაბარი საპირისპირო ბრალდებებით, შესაძლებელია ანიჭებენ მათ პოლონელები ელექტრო მანქანა. მაშინ ერთი ფირფიტა მიდის უარყოფითი მუხტი მეორეს - დადებითი მუხტი.

შეგიძლიათ დაკავშირება ერთი ფირფიტები ბოძზე მანქანის და სხვა ადგილზე; იმის გამო, რომ სხვა ფირფიტაზე ინდუქციის წარმოიქმნება ბრალდებით, თანაბარი მასშტაბები და საპირისპირო ნიშანი ბრალდებით პირველი ფირფიტა. თუ დისკო და პასუხისმგებელი არის დადებითი, ინდუქციური დისკო უარყოფითი მუხტი; დადებითი მუხტი განეიტრალება მიერ ელექტრონების დისკო, pritekshimi ადგილზე ფირფიტა, რომელიც პრაქტიკულად ამოუწურავია წყარო მათ. მოზიდული დადებითად დამუხტული ფირფიტა, უარყოფითი მუხტი განთავსებული იქნება შიდა ზედაპირზე ფირფიტა წინაშე A.

იმ შემთხვევაში, თუ ფირფიტა უარყოფითად დამუხტული, თავისუფალ ელექტრონებს მოიგერია დისკო დისკო A, და წავიდეს ადგილზე plate ამგვარად დადებითად დამუხტული.

ორივე შემთხვევაში, ბრალდების ორიენტირებულია მხოლოდ ორმხრივად წინაშე ზედაპირზე და ბ

არარსებობის ბრალდებით გარე ზედაპირზე შესაძლებელს ხდის მთლიანად გადასცეს capacitor ბრალდებით მეშვეობით გარე მხარეს ფირფიტები. ბრალდებით capacitor განისაზღვრება ბრალდებით მისი ერთ-ერთი ფილები, არ არის პასუხისმგებელი თანაბარი მასშტაბები სხვა ინდუქციის.

რეგ ერთი დისკო capacitor წნელები Electrometer, და სხვა ფირფიტაზე და საბინაო Electrometer დასაბუთებული. გამოყენება probe bead გაივლის თანამიმდევრულად capacitor პასუხისმგებელი თანაბარი ნაწილი. აღვნიშნავთ, რომ გაზრდის ბრალდებით 2, 3, 4 ან მეტი ჯერ, შესაბამისად, 2, 3, 4-ჯერ და უფრო ზრდის პოტენციალი განსხვავება კონდენსატორების.

ეს მნიშვნელობა, რომელიც იზომება თანაფარდობა ბრალდებით capacitor პოტენციური განსხვავება მისი ფირფიტები (ან ფირფიტები) არის მოცულობითი კონდენსატორების.

აღმნიშვნელი ეს ასო C, თქვენ შეგიძლიათ დაწეროთ:

C = q / (φ1 - φ2).

ელექტრული ველის შორის capacitor ფირფიტები არსებითად ორიენტირებული მასში, მის მიმდებარე ორგანოს არ იმოქმედებს მოცულობითი კონდენსატორების.

ექსპერიმენტი შესრულდა. მიიღეთ დისკო capacitor შედგება ორი რკინის ფირფიტები A და B, გამაგრებული on იზოლატორები.

დაკავშირება Electrometer დისკო დისკო როგორც დასაბუთებული. პასუხისმგებელი ფირფიტა, სადაც Electrometer ნიშნის გარკვეული პოტენციალი განსხვავება capacitor. იმ შემთხვევაში, თუ zoom plate B to A, ჩანს, რომ პოტენციური განსხვავება plate მცირდება.

შემცირების პოტენციალი განსხვავება capacitor ფირფიტები მუდმივი ბრალდება, რომ ეს მიუთითებს ზრდა მისი მოცულობა.

ამდენად, planar capacitor იქნება მეტი მანძილი ფირფიტები ნაკლებია ან ნაკლები სისქის დიელექტრიკული ერთვის შორის ფირფიტები.

გადასვლის დისკო ნათესავი ფირფიტაზე და ქვემოთ, ჩვენ შეიცვლება ფართობი ფირფიტები, ორმხრივად გადახურვის. მიუხედავად იმისა, რომ აკვირდებიან კითხვას Electrometer, შეიძლება განისაზღვროს, რომ უფრო დიდი ფართობი გადახურვის ფილები კონდენსატორების, მით მეტია მისი მოცულობა. უფრო დიდი ფართობი capacitor ფირფიტები, უფრო დიდი მუხტი შეიძლება კონცენტრირება მათ ამ თანასწორობის პოტენციალი.

მოდით კიდევ ექსპერიმენტი. მოწყობა ამ capacitor ფირფიტები A და B გარკვეული დაშორება ერთმანეთს და დისკო და პასუხისმგებელი.

შენიშვნა მასშტაბები პოტენციური განსხვავება, როდესაც ჰაერის მოქმედებს, როგორც დიელექტრიკული. ახლა მოთავსება მინის ფურცელი შორის ფირფიტები, ან ნებისმიერი სხვა იზოლატორში; ჩვენ ვხედავთ, რომ ამ პოტენციალის განსხვავება მცირდება. დავაყენებთ მას თავისი წინა დონეზე, აუცილებელია რჩეულებში დისკო და პასუხისმგებელი. აქედან გამომდინარეობს, რომ ჩანაცვლება ჰაერის ფენაში შორის ფირფიტები ერთი capacitor ნებისმიერი სხვა დიელექტრიკული იზრდება მისი მოცულობა.

მოდით S₀ - მოცულობითი capacitor, როდესაც ბათილად შორის ფირფიტები ან საჰაერო და C - მისი შესაძლებლობების გამოყენებით დიელექტრიკული.

გამყოფი C და S₀, ჩვენ permittivity დიელექტრიკული ԑ:

ԑ = C / S₀.

ამდენად, დიდი permittivity of დიელექტრიკული, უფრო დიდი ელექტრო მოცულობითი კონდენსატორების.